参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STD1HN60K3n: 0
说明	通用MOSFET   TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK
起订量	2
最小包	2
现货	398 [库存更新时间：2024-05-30]
系列	SuperMESH3™
连续漏极电流Id	1.2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	140pF @ 50V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	27W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8 Ohms@600mA,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,Dpak,SC-63
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	1.2A